1、轉(zhuǎn)速采用手動調(diào)整變頻器頻率的控制方式。

2、可同時對4片最大尺寸為Φ2" 的基片進(jìn)行雙面研磨拋光。

3、可進(jìn)行薄片的雙面減薄。

4、是雙面研磨拋光Si、 Ge 、氧化物單晶基片的理想工具。

1、電源：220V  50Hz

2、功率：550W

3、磨拋盤：Φ225mm

4、磨拋盤轉(zhuǎn)速：0-72rpm內(nèi)無級可調(diào)

5、最大樣件尺寸：Φ50mm，厚度≤15mm

6、上磨拋盤重量：3.5kg

尺寸：650mm×500mm×580mm；

重量：80kg